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    華盛頓大學研制出世上最薄的LED

    [投影之窗消息]  華盛頓大學研制出世上最薄的只有三個原子厚度的LED,重點成份為二硒化鎢(tungsten diselenide),是已知最薄的半導體。一片這樣的物料只有傳統LED不到十分之一的厚度,但依然可以發出可見的亮度。另外,它也很有彈性和堅固的。理論上,它可以應用于光學電路和納米激光器等講求細小的科技上,同時,它也當然有潛力用在現時斗薄斗輕的行動裝置上吧,特別是最近熱門的可穿戴式裝置。
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